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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.82 |
10+ | $2.53 |
100+ | $2.0732 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5070 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
Grundproduktnummer | CSD18502 |
CSD18502Q5BT Einzelheiten PDF [English] | CSD18502Q5BT PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
TI TO-220
TI SON8
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
TI TDSON-8
MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
TI VSONP-8
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
TI SON56
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CSD18502Q5BT |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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